93Cxx系列，有两种模式，分别是8位模?和16位模式

对于 93Cxx 系列，有两种模式，分别是 8 位模式 和 16 位模式。
& s1 F, v/ I) a  D$ _+ M具体控制有芯片的第六脚控制（ORG），如果这个引脚接地，那么就是8 位模式
% [7 V" l4 ~; O' r# }, z如果这个引脚接正极或者悬空（内部上拉到正极），那么就是 16 位模式。
至于区别在于同一个存储芯片，在不同的模式，读取的芯片数据顺序不同。
( ?( c- S! D6 u; {不过只要记住一点：以哪一种方式读取，一定要按那种方式写入。
/ G( g( H: \. u: g举个例子：
$ U* O5 V0 G1 U% J1 ^0 C假若存储器内部存储的数据为：
( z9 E; U4 X2 u" p: w1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
4 x, K- e# a. A3 h6 q存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
首先确认一点，就是无论8 位模式 或者 16 位模式，
9 ^. V1 f7 v4 g2 c! k& u3 TEEPROM 每次输出总是从高位开始（MSB优先）。
8 p  [: C. A' y* |0 m5 d如果按照 8 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 8 位，结果为：
5 t8 L1 v) p& J, W3 S5 R! x1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7
第一次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
: K" L. g/ x. ^2 d( s4 L$ U第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
7 O( e8 l! m2 M) p第三次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第五次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
4 e. g- r7 @0 v/ M4 P9 Y8 C8 l+ V第六次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第七次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第八次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
, }& P  V: K* G8 b! P如果按照 16 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 16 位，结果为：
7 F, Q) e) H. h+ ]. D; u3 n1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
3 C$ v& ?6 S+ b8 Z6 w4 @存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD
; r% z& f1 w3 B) X2 S* v
第一次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
0 l5 v9 F9 `6 a- W4 w# j6 c. U4 s第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第三次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
9 \9 K' N1 R! |8 O2 D  {+ C第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
1 U$ }  e7 q) W
& L5 U) \9 m0 x& z. X% c# y! q% |

% O1 r- @/ N6 h: W* {6 A1 X所以差别在于，数据显示的顺序不同：
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7 - 8
5 X# b' ^. c5 O* l( }B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD - 16
  ?' X0 f& J* J0 F# Q不过有的编程器可以进行字节交换，所以如果读取和写入的模式不同
（可能数据来自其他人，他的操作模式和你的操作模式不同），只要
: ?! _9 Q6 X. J$ h9 e. `" G进行一次字节交换就可以了。

看一看，学习学习。