93Cxx系列，有两种模式，分别是8位模?和16位模式

对于 93Cxx 系列，有两种模式，分别是 8 位模式 和 16 位模式。
8 ]# y2 p, V' @9 k  h% c! m: q具体控制有芯片的第六脚控制（ORG），如果这个引脚接地，那么就是8 位模式
如果这个引脚接正极或者悬空（内部上拉到正极），那么就是 16 位模式。
至于区别在于同一个存储芯片，在不同的模式，读取的芯片数据顺序不同。
3 x; E5 F# Y( |不过只要记住一点：以哪一种方式读取，一定要按那种方式写入。
举个例子：
假若存储器内部存储的数据为：
8 m2 Y1 A; N- C9 _- S1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
' M% Z# o0 L& L% u7 Q首先确认一点，就是无论8 位模式 或者 16 位模式，
# z; u3 D9 f5 W" ?, NEEPROM 每次输出总是从高位开始（MSB优先）。
  D+ p  M, }  R- V如果按照 8 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 8 位，结果为：
8 e5 i* b/ j+ A# T3 a1 V" X1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
' z$ I& d9 r: e1 kAD B7 AD B7 AD B7 AD B7
( H( w  a  I( r4 X/ e第一次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
7 {: M: g8 J& y2 A! R& v' o第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
; }+ i/ i" |' \* h第三次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第五次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第六次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第七次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
% f5 h# Y" u* \. ?* T6 h+ @9 }第八次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
如果按照 16 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 16 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
  P5 L* b0 ~$ ~2 D! y/ ~' N存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD
8 Y$ `* Q: i  p9 Y( S
0 B, R5 c: W( K& O" ?& i2 E9 ?第一次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
# v6 ]! C" S  I  g" X3 |( `第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第三次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
( l! t  j4 X1 x& M) e' }


所以差别在于，数据显示的顺序不同：
6 `& o$ X% o# B7 K6 AAD B7 AD B7 AD B7 AD B7 - 8
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD - 16
不过有的编程器可以进行字节交换，所以如果读取和写入的模式不同
（可能数据来自其他人，他的操作模式和你的操作模式不同），只要
进行一次字节交换就可以了。
* z7 v" A9 s( V$ v5 H

看一看，学习学习。