93Cxx系列，有两种模式，分别是8位模?和16位模式

对于 93Cxx 系列，有两种模式，分别是 8 位模式 和 16 位模式。
, G+ d6 w: }7 y% \0 M! |! ~具体控制有芯片的第六脚控制（ORG），如果这个引脚接地，那么就是8 位模式
如果这个引脚接正极或者悬空（内部上拉到正极），那么就是 16 位模式。
至于区别在于同一个存储芯片，在不同的模式，读取的芯片数据顺序不同。
: w- `& g) l% @. t& |不过只要记住一点：以哪一种方式读取，一定要按那种方式写入。
/ e6 f, y0 L8 c* z举个例子：
. L4 I$ z8 S3 M( ~假若存储器内部存储的数据为：
. F9 n2 w3 L3 y& m! e9 o) P1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
首先确认一点，就是无论8 位模式 或者 16 位模式，
( _# b4 ~; m' s7 NEEPROM 每次输出总是从高位开始（MSB优先）。
如果按照 8 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 8 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
! ?/ D7 y! l/ }0 y3 s存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
% Z6 b( k* R' H$ A# w. d4 BAD B7 AD B7 AD B7 AD B7
第一次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
5 i9 x) A! [! L4 d第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第三次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
5 l  i/ b$ z+ m第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第五次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第六次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第七次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第八次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
如果按照 16 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 16 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
6 e# ^  z$ ^2 h. s& i1 ]B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD
- J6 i: w' H5 Z, J  W/ [( P/ L2 h
第一次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
6 ?# ?: o  R( L% H: h) Y% ^, u第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
3 ?  r! ]. c: s- _第三次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD



所以差别在于，数据显示的顺序不同：
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7 - 8
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD - 16
不过有的编程器可以进行字节交换，所以如果读取和写入的模式不同
  u6 t! q2 o: |4 Y（可能数据来自其他人，他的操作模式和你的操作模式不同），只要
进行一次字节交换就可以了。
2 @+ w3 a( S$ O

看一看，学习学习。