93Cxx系列，有两种模式，分别是8位模?和16位模式

对于 93Cxx 系列，有两种模式，分别是 8 位模式 和 16 位模式。
/ J  t/ V7 Z  _( b5 }具体控制有芯片的第六脚控制（ORG），如果这个引脚接地，那么就是8 位模式
3 O5 C& Y. ]! L0 ]4 Y3 q" I( Q7 F) f如果这个引脚接正极或者悬空（内部上拉到正极），那么就是 16 位模式。
; H6 H  [+ e1 c/ r' d, \" O" i8 V至于区别在于同一个存储芯片，在不同的模式，读取的芯片数据顺序不同。
不过只要记住一点：以哪一种方式读取，一定要按那种方式写入。
' x+ f" A$ ]) Z% T: o举个例子：
假若存储器内部存储的数据为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
' }9 c* |0 Q9 J  n$ \存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
9 Y: Y- E/ z5 V; e- y( z5 K7 Z  f首先确认一点，就是无论8 位模式 或者 16 位模式，
) s' `2 h, p! v1 {+ REEPROM 每次输出总是从高位开始（MSB优先）。
如果按照 8 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 8 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
) s9 n8 j9 B0 v存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7
, l2 Z# i. e. z* k* B* l第一次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第三次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
2 ^6 [; G. X5 e8 \+ p第五次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
+ X8 \: l) G! F( U第六次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
" r- _" o# h, N5 U5 c" t1 c第七次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第八次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
如果按照 16 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 16 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD
$ z) N, K0 X0 b* d- f" M/ I
第一次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第三次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
# r, \" c; K; m, V第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
8 R# C) r( P; T
! I( q, ^. @5 W6 l0 |
7 V. W5 j1 C  q' s0 V
5 R7 `# g) @5 h, H0 b1 {. D# Y, z所以差别在于，数据显示的顺序不同：
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7 - 8
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD - 16
不过有的编程器可以进行字节交换，所以如果读取和写入的模式不同
; w# [& {" k. k) N% ?) C! z7 F（可能数据来自其他人，他的操作模式和你的操作模式不同），只要
3 _8 X/ b& j+ a2 _" Y4 H9 A进行一次字节交换就可以了。
! `* Y) X4 W- G4 x$ w) o. Z: E* u

看一看，学习学习。