93Cxx系列，有两种模式，分别是8位模?和16位模式

对于 93Cxx 系列，有两种模式，分别是 8 位模式 和 16 位模式。
2 T- R8 Y  Y' `  r1 I具体控制有芯片的第六脚控制（ORG），如果这个引脚接地，那么就是8 位模式
$ s; O0 ~3 O3 f+ ^如果这个引脚接正极或者悬空（内部上拉到正极），那么就是 16 位模式。
至于区别在于同一个存储芯片，在不同的模式，读取的芯片数据顺序不同。
不过只要记住一点：以哪一种方式读取，一定要按那种方式写入。
举个例子：
假若存储器内部存储的数据为：
1 Z9 U$ n5 D" _, b0 ]4 F2 S2 t/ C" S1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
首先确认一点，就是无论8 位模式 或者 16 位模式，
: O. ~4 T* T$ Y  q5 g) J. j  TEEPROM 每次输出总是从高位开始（MSB优先）。
6 Z3 v* G) o( n/ h- S. n  O" j6 y6 T# Y如果按照 8 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 8 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
6 t; j% C: i# b2 @. T$ Y存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
- l" n  h; D! j3 VAD B7 AD B7 AD B7 AD B7
+ m# I% h. q/ \9 Y第一次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
+ t0 V' b; A) b9 E  r6 p+ N$ C& ~第三次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
  v: u6 t) w3 [$ r' ]9 X" L6 ]7 j第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第五次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
3 L& k* s8 i# [) `( u% z第六次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
第七次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
( }1 F5 c$ S8 H, Z8 ~6 U6 B第八次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
如果按照 16 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 16 位，结果为：
" @, F+ P! N  `. v  ~3 k0 h1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
% K+ L: I8 R: @3 F9 O! s. v存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD

2 q1 K8 P8 k8 t* g+ I) V  v/ Z4 w第一次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
. w( \$ h! k7 g! {第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
. T* v7 b- L& l8 {# H; p" G. [; A第三次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
* T& S# m6 a1 }: _3 W5 S9 M第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
4 r% g( w+ _& D6 \1 o' Z
! i7 Y3 V9 H4 s. V+ z9 a& |
) b7 P+ v4 m* S/ v- c/ J
所以差别在于，数据显示的顺序不同：
- E" L2 e, L+ W5 Y3 L  ZAD B7 AD B7 AD B7 AD B7 - 8
' c! Q" @3 h# }4 u) ~7 WB7 AD B7 AD B7 AD B7 AD - 16
不过有的编程器可以进行字节交换，所以如果读取和写入的模式不同
（可能数据来自其他人，他的操作模式和你的操作模式不同），只要
进行一次字节交换就可以了。

看一看，学习学习。